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GE12160CEA3

GE Aerospace

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产品概述

型号 GE12160CEA3
厂家/品牌 General Electric
产品描述 1200V 1425A SiC Half-Bridge
数据库 GE12160CEA3.pdf
RoHs状态
库存状况 In Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有现货: 5 pcs

参考价格(美元)
1
$3043

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产品特性

  • 型号GE12160CEA3
  • 制造商General Electric
  • 描述1200V 1425A SiC Half-Bridge
  • 产品分类44
  • 产品状态5 pcs Stock
  • 输入电容(Ciss)(Max)@ Vds90000pF @ 600V
  • 组态2 N-Channel (Half Bridge)
  • 系列SiC Power
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->FET, MOSFET Arrays
  • 电流 - 25°C连续排水(Id)1.425kA (Tc)
  • 漏极至源极电压(Vdss)1200V (1.2kV)
  • 栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs3744nC @ 18V
  • 技术Silicon Carbide (SiC)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (Tc)
  • 封装/箱体Module
  • 安装类型Chassis Mount
  • 基本产品编号GE12160
  • 包裹Bulk
  • 功率 - 最大3.75kW (Tc)
  • 供应商设备封装-
  • 产品状态Active
  • VGS(TH)(最大)@标识4.5V @ 480mA
  • RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压1.5mOhm @ 475A, 20V
  • FET特点-

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